
26 октября 1951 года - в Москве был организован НИИ-311 (Научно-производственное предприятие "Сапфир").
Краткая хронология:
1951 год. В Москве, Постановлением Совмина был организован НИИ-311, ориентированный на совершенно новое по тем временам направление – радиоэлектронику.
Институт был создан на базе трех предприятий: радиозавода им. Красина, артели «Коопутиловец» и завода «Сирокко».
В годы Великой отечественной войны предприятия выпускали военную продукцию: гранаты, авиаснаряды, автозаправщики, редукторы к ракетным установкам «Катюша».
В 1956 году НИИ-311 переводится в Министерство радиотехнической промышленности и на него возлагается ответственность за разработку полупроводниковых диодов и тиристоров.
Требования к институту возросли. В то же время у него не было ни одного подходящего для работы здания. Сложно представить, что на территории предприятия на заре его становления находилось… самое настоящее болото. На плечи первых директоров «Сапфира» (Л. Кирпичникова, М. Климанова, Б. Гуляева) легла непростая задача: перепрофилировать штамповочное производство в предприятие, отвечающее современным стандартам электроники по чистоте, точности обработки, сложности процессов.
Перепрофилирование заводских территорий и открытие НИИ-31 стало краеугольным камнем в общей концепции развития физики полупроводников в стране, мощным импульсом, к которому послужило открытие транзисторов.
Практически вслед за НИИ-311 была образована кафедра физики и полупроводников на физическом факультете МГУ им. Ломоносова.
Сотрудники обоих научных центров до сих пор поддерживают тесные связи, а на заре становления новой науки ученые работали практически над одними и теми же стратегическими проблемами.
В 60-х годах на месте деревянных построек были возведены три новых корпуса.
Одновременно с созданием института появилась еще одна цель - готовить новые кадры для новой отрасли
В 60-70-х годах к производству подключили практически два десятка заводов по всей стране. НИИ начал заниматься не только производственной, но и обучающей деятельностью, передавая свой опыт другим предприятиям, обучая их кадры.
До сих пор директора профильных предприятий Новосибирска, Орска, Минска и других городов вспоминают о помощи НИИ.
Многие получали образование инженеров без отрыва от производства.
За все время за успехи, достигнутые в разработке и производстве новых классов полупроводниковых приборов, более 30 специалистов предприятия удостоены Ленинских и Государственных Премий СССР, Премий Совета Министров СССР и Ленинского комсомола.
Ряд сотрудников награжден орденами Ленина, Трудового Красного Знамени, Знак Почета и Дружбы народов.
Постепенно образовывался, рос и расширялся круг разработчиков, высококвалифицированных специалистов, профессионалов, способных создавать самые совершенные полупроводниковые приборы.
Сотрудниками предприятия защищено 6 докторских и 115 кандидатских диссертаций.
На предприятии была создана базовая кафедра Московского института радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА – технический университет).
70-е годы можно назвать расцветом радиоэлектронной отрасли.
В 1972 году завод переименовывается в Московский завод "Сапфир".
8 июня 1978 года за разработку и освоение производства новых изделий Указом Президиума Верховного Совета СССР Московский завод "Сапфир" был награжден орденом Трудового Красного Знамени.
В 1977 – 1984 г.г. разработаны и освоены в производстве фотодиоды из сурьмянистого индия и фотоприемные устройства на их основе.
К этому же периоду относится освоение производства фотоприемного устройства из теллурида кадмия и ртути.
Помимо приборов спецтехники в 80-х годах были проведены разработки и освоен серийный выпуск гражданской техники – иммуноферментного анализатора, медицинского тепловизора «Сапфир» и системы дистанционного управления телевизорами «Рекорд», «Рубин» и «Горизонт».
В 1988 году на основе Московского завода «Сапфир» и его бывших филиалов – завода «Кристалл» в г. Железногорск и Оптико-механического производства в г. Ардатов – образовано Производственное объединение «Сапфир».
Краткая хронология:
1951 год. В Москве, Постановлением Совмина был организован НИИ-311, ориентированный на совершенно новое по тем временам направление – радиоэлектронику.
Институт был создан на базе трех предприятий: радиозавода им. Красина, артели «Коопутиловец» и завода «Сирокко».
В годы Великой отечественной войны предприятия выпускали военную продукцию: гранаты, авиаснаряды, автозаправщики, редукторы к ракетным установкам «Катюша».
В 1956 году НИИ-311 переводится в Министерство радиотехнической промышленности и на него возлагается ответственность за разработку полупроводниковых диодов и тиристоров.
Требования к институту возросли. В то же время у него не было ни одного подходящего для работы здания. Сложно представить, что на территории предприятия на заре его становления находилось… самое настоящее болото. На плечи первых директоров «Сапфира» (Л. Кирпичникова, М. Климанова, Б. Гуляева) легла непростая задача: перепрофилировать штамповочное производство в предприятие, отвечающее современным стандартам электроники по чистоте, точности обработки, сложности процессов.
Перепрофилирование заводских территорий и открытие НИИ-31 стало краеугольным камнем в общей концепции развития физики полупроводников в стране, мощным импульсом, к которому послужило открытие транзисторов.
Практически вслед за НИИ-311 была образована кафедра физики и полупроводников на физическом факультете МГУ им. Ломоносова.
Сотрудники обоих научных центров до сих пор поддерживают тесные связи, а на заре становления новой науки ученые работали практически над одними и теми же стратегическими проблемами.
В 60-х годах на месте деревянных построек были возведены три новых корпуса.
Одновременно с созданием института появилась еще одна цель - готовить новые кадры для новой отрасли
В 60-70-х годах к производству подключили практически два десятка заводов по всей стране. НИИ начал заниматься не только производственной, но и обучающей деятельностью, передавая свой опыт другим предприятиям, обучая их кадры.
До сих пор директора профильных предприятий Новосибирска, Орска, Минска и других городов вспоминают о помощи НИИ.
Многие получали образование инженеров без отрыва от производства.
За все время за успехи, достигнутые в разработке и производстве новых классов полупроводниковых приборов, более 30 специалистов предприятия удостоены Ленинских и Государственных Премий СССР, Премий Совета Министров СССР и Ленинского комсомола.
Ряд сотрудников награжден орденами Ленина, Трудового Красного Знамени, Знак Почета и Дружбы народов.
Постепенно образовывался, рос и расширялся круг разработчиков, высококвалифицированных специалистов, профессионалов, способных создавать самые совершенные полупроводниковые приборы.
Сотрудниками предприятия защищено 6 докторских и 115 кандидатских диссертаций.
На предприятии была создана базовая кафедра Московского института радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА – технический университет).
70-е годы можно назвать расцветом радиоэлектронной отрасли.
В 1972 году завод переименовывается в Московский завод "Сапфир".
8 июня 1978 года за разработку и освоение производства новых изделий Указом Президиума Верховного Совета СССР Московский завод "Сапфир" был награжден орденом Трудового Красного Знамени.
В 1977 – 1984 г.г. разработаны и освоены в производстве фотодиоды из сурьмянистого индия и фотоприемные устройства на их основе.
К этому же периоду относится освоение производства фотоприемного устройства из теллурида кадмия и ртути.
Помимо приборов спецтехники в 80-х годах были проведены разработки и освоен серийный выпуск гражданской техники – иммуноферментного анализатора, медицинского тепловизора «Сапфир» и системы дистанционного управления телевизорами «Рекорд», «Рубин» и «Горизонт».
В 1988 году на основе Московского завода «Сапфир» и его бывших филиалов – завода «Кристалл» в г. Железногорск и Оптико-механического производства в г. Ардатов – образовано Производственное объединение «Сапфир».

Следующая запись: Назад в СССР - 27 октября 2018 в 08:06
Лучшие публикации